在MOS管中，柵極電壓控制耗盡區(qū)的形成。MOS管的耗盡區(qū)，電流主要由漏極到源極的電流決定。
當柵極電壓低于或等于閾值電壓時，漏極和源極之間的耗盡區(qū)存在，導致電流受限。
但當柵極電壓超過閾值電壓時，MOS管進入了放大區(qū)或飽和區(qū)，這意味著柵極電壓足夠大以至于完全反轉了耗盡區(qū)。
在飽和區(qū)或放大區(qū)，MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區(qū)的影響。相反，漏極到源極電流主要由柵極電壓和管子內(nèi)的電場決定。
當柵極電壓超過閾值電壓時，耗盡區(qū)變窄并形成彎曲，并且在柵極下方會形成一個反型層，從而允許更多的電子通過（從漏極到源極）。
反型層作為漏極到源極的導通溝道。柵極電壓越大，反型層越厚，柵極增加的電壓落在反型層，耗盡層不會繼續(xù)變大。
因此，當MOS管的柵極電壓超過閾值電壓時，耗盡區(qū)不再起主導作用，而是變得很小。這導致了更高的導通電流，所以耗盡區(qū)不會繼續(xù)變大。
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