常遇到MOS管Vgs電壓過大會(huì)損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀?
當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值 時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，形成反型層。
vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng)，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。
即N溝道MOS管在vGS
只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。
但是Vgs繼續(xù)加大，比如IRFPS40N60K，
Vgs=100V時(shí)，
Vds=0和Vds=400V，兩種情況下，對管子功能帶來什么影響，若燒壞，原因和內(nèi)部機(jī)理過程是怎樣的呢?
Vgs增大會(huì)減小Rds(on)減小開關(guān)損耗，但是同時(shí)會(huì)增大Qg，使得開啟損耗變大，影響效率
1)MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs 充電而上升，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電，
2)MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大;
Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會(huì)持續(xù)積累。
3)MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動(dòng)電壓對Millier 電容進(jìn)行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小
4)MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，GS 電容的電壓上升
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