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MOS電容器工作原理介紹
2020-11-23
MOS電容器工作原理介紹MOS電容器工作原理：電荷的收集MOS電容器是所有MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)中最簡(jiǎn)單的，它是CCD的構(gòu)成基礎(chǔ);弄清楚這
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MOS管知識(shí)|MOS管功率損耗怎么測(cè)試
2020-11-23
MOS管知識(shí)|MOS管功率損耗怎么測(cè)試MOS管功率損耗如何測(cè)試功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓
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MOS管結(jié)構(gòu)|MOS管的IVcure解析介紹
2020-11-23
MOS管結(jié)構(gòu)|MOS管的IVcure解析介紹MOS管的結(jié)構(gòu)以N溝道橫向MOS管為例，其結(jié)構(gòu)如下圖所示，在P型半導(dǎo)體表面有一層薄膜氧化膜，氧化膜上再鍍一
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詳解MOS管的米勒效應(yīng),圖文詳解
2020-11-23
詳解MOS管的米勒效應(yīng),圖文詳解MOS管的米勒效應(yīng)如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電
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MOS管開(kāi)關(guān)頻率-分析MOS管開(kāi)關(guān)頻率測(cè)算的問(wèn)題
2020-11-23
MOS管開(kāi)關(guān)頻率-分析MOS管開(kāi)關(guān)頻率測(cè)算的問(wèn)題MOS管開(kāi)關(guān)頻率測(cè)算MOS管在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個(gè)下降
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功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情分析
2020-11-23
功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情分析功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓
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MOS管燒壞的原因-分析MOS管為什么會(huì)被燒毀
2020-11-23
MOS管燒壞的原因-分析MOS管為什么會(huì)被燒毀MOS管在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)
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逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因與如何解決
2020-11-21
逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因與如何解決逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重的原因逆變器的場(chǎng)效應(yīng)管工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，并且流過(guò)管子的電流很大，若管子選型
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MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見(jiàn)有五種與分析
2020-11-21
MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見(jiàn)有五種與分析MOS管損壞原因最常見(jiàn)有五種第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓
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MOS管開(kāi)關(guān)電路圖(八款MOS管開(kāi)關(guān)電路圖設(shè)計(jì)?)介紹
2020-11-21
MOS管開(kāi)關(guān)電路圖(八款MOS管開(kāi)關(guān)電路圖設(shè)計(jì))介紹MOS管開(kāi)關(guān)電路圖方式MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增
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MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對(duì)比
2020-11-21
MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對(duì)比MOS管和三極管原理圖對(duì)比分析在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中假設(shè)我們想要對(duì)電流中止控制，那就少不了三極管
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保護(hù)板MOS管燒壞-保護(hù)板MOS測(cè)試裂開(kāi)或燒毀原因介紹
2020-11-21
保護(hù)板MOS管燒壞-保護(hù)板MOS測(cè)試裂開(kāi)或燒毀原因介紹一、鋰電池保護(hù)板MOS管測(cè)試過(guò)程中裂開(kāi)是否會(huì)燒毀鋰電池保護(hù)板測(cè)試時(shí)MOS管裂開(kāi)不會(huì)燒毀，