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開關損耗測量中需要注意的問題分析
2023-04-14
開關損耗測量中需要注意的問題分析開關損耗測量中應考慮哪些問題在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟
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驅(qū)動電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅(qū)動電路中的誤開通介紹驅(qū)動電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關。當門極電壓大于開通閾值時，功
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驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免
2023-04-13
驅(qū)動電路中的誤開通怎么避免避免驅(qū)動誤開通的方法門極電阻、電容法為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調(diào)整門極驅(qū)動的電阻和電容，如
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SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效
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MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算
2023-04-13
MOS管驅(qū)動電路功率損耗怎么計算在一些大電流的MOS管應用電路中，功耗越大，意味著發(fā)熱越多，器件溫升就越高，這對于電路的穩(wěn)定工作而言是個
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小功率電源MOS管驅(qū)動電路設計圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅(qū)動電路設計圖文介紹MOS管驅(qū)動電路設計對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對
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SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖
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MOSFET應用,緩沖電路種類詳解
2023-04-12
MOSFET應用,緩沖電路種類詳解緩沖電路的種類緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動部件組合的電路，和包含半導體元器件的主動電路。為了
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緩沖電路設計方法介紹
2023-04-11
緩沖電路設計方法介紹緩沖電路的設計方法1．圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比L
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不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
2023-04-11
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在
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同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹
2023-04-11
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關
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DCDC,電源IC損耗計算方法介紹
2023-04-10
DCDC,電源IC損耗計算方法介紹本文將在簡單的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。損耗的簡單計算方法在很多情況下，電源IC