什么是灌流電路
1、MOS管作為開關(guān)管應用的特殊驅(qū)動電路
MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點，但是在作為大功率開關(guān)管應用時，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個小電容器，輸入的開關(guān)激勵信號，實際上是在對這個電容進行反復的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的(功耗增加，燒壞開關(guān)管)。
壓波形變成B的畸變波形，導致開關(guān)管不能正常開關(guān)工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒有阻值，激勵信號能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，這樣MOS開關(guān)管就能迅速的“開”、“關(guān)”，保證了正常工作。由于激勵信號是有內(nèi)阻的，信號的激勵電流也是有限度，我們在作為開關(guān)管的MOS管的輸入部分，增加一個減少內(nèi)阻、增加激勵電流的“灌流電路”來解決此問題，如下圖所示。
上圖中，在作為開關(guān)應用的MOS管Q3的柵極S和激勵信號之間增加Q1、Q2兩只開關(guān)管，此兩只管均為普通的晶體三極管，兩只管接成串聯(lián)連接，Q1為NPN型Q2為PNP型，基極連接在一起(實際上是一個PNP、NPN互補的射極跟隨器)，兩只管等效是兩只在方波激勵信號控制下輪流導通的開關(guān)，如下圖A和B。
當激勵方波信號的正半周來到時;晶體三極管Q1(NPN)導通、Q2(PNP)截止，VCC經(jīng)過Q1導通對MOS開關(guān)管Q3的柵極充電，由于Q1是飽和導通，VCC等效是直接加到MOS管Q3的柵極，瞬間充電電流極大，充電時間極短，保證了MOS開關(guān)管Q3的迅速的“開”，如圖A所示(圖A和圖B中的電容C為MOS管柵極S的等效電容)。
當激勵方波信號的負半周來到時;晶體三極管Q1(NPN)截止、Q2(PNP)導通，MOS開關(guān)管Q3的柵極所充的電荷，經(jīng)過Q2迅速放電，由于Q2是飽和導通，放電時間極短，保證了MOS開關(guān)管Q3的迅速的“關(guān)”，如上圖B所示。
由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導通時VCC對MOS管柵極S的瞬時充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個適當?shù)某潆娤蘖麟娮鑂，如下圖A所示。
充電限流電阻R的阻值的選取;要根據(jù)MOS管的輸入電容的大小，激勵脈沖的頻率及灌流電路的VCC(VCC一般為12V)的大小決定一般在數(shù)十姆歐到一百歐姆之間。
由于充電限流電阻的增加，使在激勵方波負半周時Q2導通時放電的速度受到限制(充電時是VCC產(chǎn)生電流，放電時是柵極所充的電壓VGS產(chǎn)生電流，VGS遠遠小于VCC,R的存在大大的降低了放電的速率)使MOS管的開關(guān)特性變壞，為了使R阻值在放電時不影響迅速放電的速率，在充電限流電阻R上并聯(lián)一個形成放電通路的二極管D，上圖B所示。此二極管在放電時導通，在充電時反偏截止。這樣增加了充電限流電阻和放電二極管后，既保證了MOS管的安全，又保證了MOS管，“開”與“關(guān)”的迅速動作。
2、另一種灌流電路
灌流電路的另外一種形式，對于某些功率較小的開關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了下圖A的電路方式。
圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管(PNP)。工作過程是這樣，當激勵方波正半周時，D導通，對MOS管輸入端等效電容充電(此時Q截止)，在當激勵方波負半周時，D截止，Q導通，MOS管柵極S所充電荷，通過Q放電，MOS管完成“開”與“關(guān)”的動作，如上圖B所示。此電路由激勵信號直接“灌流”，激勵信號源要求內(nèi)阻較低。該電路一般應用在功率較小的開關(guān)電源上。
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