溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)是MOS晶體管中柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds，夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng)。導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn)，導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多，使Id增大的效應(yīng)。
以在加?xùn)艍篤gs且形成導(dǎo)電溝道的情況下的NMOSFET為例。若漏源電壓Vds增大至不可忽略，溝道電壓降增大直至Vgd=VT時(shí)，由于柵漏之間電壓差降低，漏端附近反型層消失，稱(chēng)為溝道夾斷。若繼續(xù)增大Vds，夾斷點(diǎn)將向源端移動(dòng)，故"看起來(lái)"，有效溝道長(zhǎng)度減小，稱(chēng)為溝道調(diào)制效應(yīng)。
當(dāng)MOS管工作在飽和區(qū)，導(dǎo)電溝道產(chǎn)生夾斷，溝道的長(zhǎng)度從L變成了L’，
此時(shí)電流公式改寫(xiě)為：
我們采用一個(gè)簡(jiǎn)單的參數(shù)λ來(lái)表示VDS對(duì)漏極電流ID的影響，定義：
由此可以得到考慮了溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的MOS管飽和區(qū)的電流公式：
由于λ∝1/L，對(duì)于長(zhǎng)溝道的器件而言（例如L>10um）， λ的數(shù)值很小，λVDS<<1，所以這個(gè)誤差可以忽略。而溝道越短，這個(gè)誤差就越大。事實(shí)上，對(duì)于短溝道的MOS管，用一個(gè)簡(jiǎn)單的參數(shù)λ來(lái)體現(xiàn)溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)是非常不準(zhǔn)確的。因而我們有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)，電路仿真的結(jié)果和用公式計(jì)算出來(lái)的結(jié)果完全不同。所以說(shuō)一階的近似公式更主要的是起到電路設(shè)計(jì)的指導(dǎo)作用。
此現(xiàn)象得ID/VDS特性曲線在飽和區(qū)出現(xiàn)非零斜率，源漏間電流源非理想。
如下圖所示
MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)，要慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，但是三極管區(qū)不存在。
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