MOS管的使用通常可以分為兩種情形：
①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關管使用，電流可達數(shù)安培，如圖1為MOS管驅(qū)動直流電機電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣。
此類應用的MOS管Vgs電壓大于門檻電壓4.5V（又叫平臺電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制可以選擇使用三極管。
圖1：邏輯控制MOS管
②參與PWM控制；橋式驅(qū)動電路以及開關電源電路等應用廣泛。
如圖2為有刷直流電機橋式驅(qū)動電路，G1、G2、G3、G4為推挽PWM控制，VS1、VS2接電機，可實現(xiàn)大功率直流電機調(diào)速，正反轉控制。此類應用的MOS管Vgs電壓大于10V，通常使用12V（為保證導通深度，PWM的幅值為12V）。
且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻并聯(lián)一個反向二極管，目的是保證MOS管的關斷速度比導通速度快，防止上橋與下橋直通短路。
圖2：有刷直流電機橋式驅(qū)動電路
MOS管驅(qū)動直流電機電路
以驅(qū)動繼電器為例分享電路設計，驅(qū)動電路如下圖。
D1作用是泄放繼電器的反向電動勢
繼電器參數(shù)
24V繼電器 電大負載25A/250VAC，線圈電阻640歐。
流過線圈的電流為37.5mA。
繼電器的線圈為感性負載，在通電和斷電的瞬間，會產(chǎn)生反向電動勢，通電時這個電動勢與電源方向相同，上正下負，電源可以吸收絕大部分。
斷電時這個電動勢與電源方向相反，下正上負，此時二極管D1導通，將這個電動勢短路泄放掉。對于低壓電路，二極管用1N4007就可以了，耐壓1000V，電流1A，便宜好用。講究的可以用快恢復二極管，性能更好些。漏電流略大，此處可以忽略。
MOS管選型
這個MOS管的選型很簡單，關鍵參數(shù)只涉及電壓和電流即可，其他可不作考慮。
耐壓：1.2~1.5倍電源電壓或更高
電流：5倍工作電流妥妥的夠，即150mA以上足矣。
功耗：一般管子的Rds只有幾十毫歐，功耗肯定滿足需求。
開關頻率：繼電器的動作頻率不超過100HZ，大多管子都夠。
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