SiC MOSFET短路保護(hù)
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。
2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
3、短路后SiC MOSFET 由線性區(qū)（linear region）進(jìn)入飽和區(qū)（saturation region），拐點電壓非常高，因此Id電流增加的同時，Vds隨著上升，進(jìn)一步擴大短路損耗。
4、IGBT退飽和保護(hù)機理，如下圖，正常工作Cblk 電壓會被嵌位到Vce+Vd，當(dāng)IGBT進(jìn)入退飽和拐點后，Vce迅速上升，Dhv由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗娏髟囱杆賹blk充電，抬高電壓DESATFault 置位。
IGBT 退飽和電路
5、由于SiC MOSFET的“退飽和拐點”非常高，Vds的響應(yīng)速度非常慢，一般不采用Vce電壓進(jìn)行“退飽和”操作，通過采樣電阻電流采樣，精度高。但是損耗大，在小電流應(yīng)用中使用。
6、對于大電流應(yīng)用，傾向于帶有SENSE PIN的MOSFET進(jìn)行電流采樣，Rs上電流和主管上的電流存在一定的比例關(guān)系，從而減小采樣電阻上電壓。
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