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  • LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
    • 發(fā)布時間:2023-04-15 14:39:44
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    LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
    LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
    下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式(BCM)的PFC向LED供電的。
    LED 電路 MOSFET
    下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關(guān)MOSFET、DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開關(guān)MOSFET、以及其柵極電阻RG,并對效率和噪聲進行比較的情況。
    原設(shè)計使用的超級結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)標(biāo)記為“Original”。考慮到噪聲問題,Original的RG采用100Ω。
    對此,將PFC及DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)替換為三種SJ MOSFET,RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案。MOSFET采用高速開關(guān)型R5207AND,以及新一代產(chǎn)品R6004END和R6004END,噪聲均得以降低。
    下表中黃色高亮表示效率高于Original,綠色高亮表示最高效率。
    獲得的結(jié)論是PFC采用R5207AND、DC/DC轉(zhuǎn)換器采用R6004END的組合效率最佳,RG為50Ω時的效率更高(3種SJ MOSFET的組合共有9組結(jié)果,效果不好的已被省略)。與Original相比,效率提高了1%左右。效率是電路整體的效率。
    LED 電路 MOSFET
    另外,請看下面DC/DC轉(zhuǎn)換器部的噪聲特性。數(shù)據(jù)是Original與效率最好的R6004END/50Ω的比較數(shù)據(jù)。
    LED 電路 MOSFET
    Original的開關(guān)速度比較快,因此采用100Ω的RG作為噪聲對策比較妥當(dāng),不過低噪聲的R6004END在RG為50Ω時即使提高開關(guān)速度后噪聲也比Original低,可在提高效率的同時降低噪聲。
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