電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，這兩個(gè)名字常常容易讓初學(xué)者混淆，那究竟MOS管到底是不是場(chǎng)效應(yīng)晶體管？
其實(shí)根據(jù)這幾種電子元器件的包含關(guān)系，說(shuō)MOS管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管是沒問(wèn)題的，但是反過(guò)來(lái)說(shuō)就不對(duì)了，也就是說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管不單單只包括MOS管，還有其他的電子元件。
實(shí)際上場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為結(jié)型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide semiconductor F E T，簡(jiǎn)稱MOS管），相對(duì)于MOS管來(lái)說(shuō)，結(jié)型管使用頻率很低，所以提到結(jié)型管的頻率也比較低，MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管倒經(jīng)常提到，給人一種誤解，以為這是一種元件。
實(shí)際上MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時(shí)漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。
其實(shí)到這場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類還沒結(jié)束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
每種元件在電路圖中的電路符號(hào)也不相同，例如下面這張圖片列出來(lái)的是兩種結(jié)型管的電路符號(hào)，2號(hào)管腳的箭頭指向管子的為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，往外指的是P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
MOS管和結(jié)型管電路符號(hào)相差的還是比較大，也很容易區(qū)分出來(lái)，例如下面這個(gè)圖片中的電路符號(hào)和上面那張圖中的電路符號(hào)很明顯有很大差別。其實(shí)下圖是N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同樣箭頭指向管子的為N型，往外指的是P型管。
同樣N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)分也是根據(jù)箭頭的指向，同樣是指向管子的是N型管，往外指的是P型管。
增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（包括N型管和P型管）和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（包括N型管和P型管）電路符號(hào)就很接近了，二者的差別是符號(hào)中有一個(gè)是用虛線表示的，一個(gè)是用實(shí)線表示的。虛線表示的是增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，實(shí)線表示的是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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