什么是場效應(yīng)晶體管?
場效應(yīng)晶體管（Field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元器件。場效應(yīng)晶體管依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。
場效應(yīng)晶體管有時(shí)也被稱為單極性晶體管，相對(duì)應(yīng)的是雙極性晶體管（Bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。由于半導(dǎo)體材料的限制，以及一段時(shí)期內(nèi)雙極性晶體管比場效應(yīng)晶體管更容易生產(chǎn)制造，場效應(yīng)晶體管的出現(xiàn)要比雙極性晶體管更晚，但事實(shí)上，「場效應(yīng)晶體管」的概念是要比「雙極性晶體管」更早的。
場效應(yīng)晶體管的組成
場效應(yīng)晶體管由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前而言，硅是最常見的。大部分的場效應(yīng)晶體管通過傳統(tǒng)的「塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)」生產(chǎn)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)或溝道。
不常見體材料主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。
有機(jī)場效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體，常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。
場效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)
（1）它是電壓控制器件，通過柵源電壓來控制漏極電流；
（2）輸入端電流極小，輸入電阻很大；
（3）利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以它的溫度穩(wěn)定性比較好；
（4）場效應(yīng)晶體管組成的放大電路，其電壓放大系數(shù)會(huì)小于由三極管所組成的放大電路的電壓放大系數(shù)；
（5）抗輻射能力強(qiáng)；
（6）噪聲低。
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