MOS管的定義：場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質(zhì)擴散出高濃度的P型區(qū)域，用P+表示，形成兩個P+N結。N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。 把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID.。由于導電溝道是N型的，故稱為N溝道結型場效應管。
場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。但是有的絕緣柵場效應管在制造產(chǎn)品時已把源極和襯底連接在一起了，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
MOS在半導體材料的層面上沒有本質(zhì)區(qū)別,當時在半導體器件設計時, 一般將襯底極與源極相連,所以MOSFET的開關性能與V_{GS}相關,只要V_{GS}超過閾值,就導通/截止(取決于耗盡型還是增強型)所以本質(zhì)上S,D是由半導體器件制造時內(nèi)部連接方式?jīng)Q定的.所以反接會導致短路。
D-S之間的二極管的作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞mos管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
另外：G,S間的寄生電容較小，通常在幾pf到10幾pf左右。考慮到U=Q/C,故很容易在柵極上形成極高的ESD電壓，所以通常會在G-S之間加上TVS，防止G-S擊穿.
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